【摘要】 本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属GAP，接着再一次利用侧墙工艺制备出纳米尺寸的相变材料，纳米相变材料填充在金属GAP中。钝化开孔引出电极，最后制备出纳米尺寸的相变存储器件。本发明避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷，仅采用光刻和两步侧墙工艺，便制备出了纳米尺寸的相变存储器，在突破光刻分辨率限制及提高器件制备效率等方面具有很大的优越性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240931.3 【申请日】2008-12-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764195A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764195B 【授权公告日】2012-04-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L21/84; H01L27/24; H01L21/70 【发明人】田晓丽; 王晓峰; 张加勇; 杨富华; 王晓东 【主权项内容】一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，其特征在于，该方法包括：a、在衬底上生长一层电热绝缘材料；b、在该电热绝缘材料上制作金属GAP的侧墙基底，然后淀积侧墙材料，用干法刻蚀回刻出牺牲侧墙，用湿法刻蚀去掉侧墙基底，形成金属GAP侧墙；c、采用光刻、剥离工艺在垂直于该金属GAP侧墙的一条边上形成金属条，再用湿法刻蚀去掉金属GAP侧墙，同时将附着在金属GAP侧墙上的金属剥离，形成纳米尺寸的金属GAP；d、在该金属条之上制作相变材料的侧墙基底，使该侧墙基底的一个边缘横跨在该金属GAP上，然后淀积相变材料及其保护层，用干法刻蚀回刻出带有保护层的相变材料的侧墙；e、淀积钝化层，在相变材料两端的金属上方开孔，引出电极，形成水平结构的相变存储器。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】12 【被自引次数】10.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】12
