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一种低温磁致冷用铒基大块非晶材料专利

发布时间:2026-06-13

【摘要】 一种低温磁致冷用铒基大块非晶材料,属于功能材料中的磁致冷合金领域。其特征 在于非晶材料化学成分原子百分比为:Er:55~65%;Al:14~24%;Co:18~28%。 该材料可以在普通吸铸条件下形成大块非晶合金,具有超过金属Er的磁熵变和磁致冷 能力,在相同磁熵变和致冷能力水平下,该非晶材料成本价格较Er基晶态和巨磁材料 Gd5Si2Ge2等磁致冷材料价格便宜,是2-50K范围内优异的磁致冷材料。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810226453.0 【申请日】2008-11-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101629271A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【发明人】惠希东; 许志一; 安亮坤; 王毅; 王恩睿; 陈国良 【主权项内容】1.一种低温磁致冷用铒基大块非晶材料,其特征在于非晶合金化学成分原子百分 比为:Er:55~65%;Al:14~24%;Co:18~28%。。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【被引证次数】5 【家族被引证次数】5

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  • 【摘要】本发明公开了一种闪存存储器的存储空间管理方法,所述闪存存储器中包括一个以上的闪存芯片,每个闪存芯片中包括一个以上的管芯,每个管芯中包括一个以上的存储体;该方法包括:以存储体为单位设置访问队列;将接收到的访问命令按照地址所属的存储体存