【摘要】 本发明涉及一种压阻传感器芯片及其加工工艺,本发明的压阻传感器芯片,其特征在于:它包括多个微悬臂梁和一个信号检测电路;每一个微悬臂梁的固定端为一二分叉结构,压阻设置在所述二分叉结构上,所述信号检测电路与各所述微悬臂梁采用电桥连接。本发明将多个微悬臂梁结构和与其配套的信号检测电路集成在一起,从而提高了芯片的稳定性与可靠性。同时本发明通过使用固定端分叉的微悬臂梁结构,避免了在同一压阻上出现不同符号的应力,不但有效解决了横向微力检测灵敏度与微悬臂梁宽度之间的矛盾,还可实现单电桥测量或双电桥测量。本发明采用Post CMOS的方法制造,适合于低成本批量生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学微电子研究院 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810117522.4 【申请日】2008-07-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101324473B 【公开公告日】2010-07-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101324473B 【授权公告日】2010-07-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01L1/18; B81B7/02; B81C1/00 【发明人】季旭; 李志宏 【主权项内容】一种压阻传感器芯片,其是在单片P型硅衬底上加工多个压阻传感器芯片,经裂片后的每个所述压阻传感器芯片包括多个微悬臂梁和一个信号检测电路,所述信号检测电路与各所述微悬臂梁采用电桥连接;其特征在于:每一个所述微悬臂梁的固定端根部设置有一沟槽,以在所述微悬臂梁的中性面两侧形成二分叉,至少在其中一个分叉上设置有一个压阻。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号北京大学微电子研究院 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【家族被引证次数】2