【摘要】 本发明公开了一种寻址电极结构，用于降低PDP屏的着火电压，其中，每条寻址电极上排列有多个横电极。本发明还公开了一种等离子显示屏，包括上基板和下基板，下基板上具有寻址电极，寻址电极的结构为上述的寻址电极结构。另外，本发明还公开了一种寻址电极的制作方法，包括以下步骤：首先，在丝网上制作带有上述横电极的漏印版图形；接着，用感光浆料把漏印板上的图形印刷至玻璃基板上；然后，通过曝光机曝光显影，以及经过烘干和烧结得到具有横电极的寻址电极。本发明使上下电极间存留的电荷较多，从而达到降低电压，提高光效的目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】四川虹欧显示器件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100085 北京市海淀区上地信息路11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810247518.X 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101719448A 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01J17/02; H01J17/49; H01J9/02 【发明人】邱晓兰 【主权项内容】一种寻址电极结构，其特征在于，用于降低PDP屏的着火电压，其中，每条所述寻址电极上排列有多个横电极。 【当前权利人】四川虹欧显示器件有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区上地信息路11号 【专利权人类型】其他有限责任公司 【统一社会信用代码】91510700662756819Q
