【摘要】 本发明公开了一种生长p-AlGaN的方法，在用金属有机化学气相沉积方法生长p型AlGaN层时同时通入三甲基铟作为活性剂。通常采用高纯氢气作为载气，三甲基镓、三甲基铝和氨气分别作为Ga源、Al源和N源，二茂镁作为p型掺杂剂，三甲基铟和其他原料同时通入反应室外延生长p-AlGaN，三甲基铟的流量一般控制在20～300sccm。该方法简单易行，效果明显，不仅可以改善p-AlGaN的表面形貌，降低其本身的方块电阻，而且，将该方法应用于器件的制备中，可以有效降低器件的串联电阻和开启电压，增强器件的发光强度，尤其针对高Al组分p-AlGaN及深紫外LED器件效果更为显著。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224573.7 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728250A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/205; H01L33/00; H01L31/18; C23C16/34 【发明人】张国义; 桑立雯; 秦志新; 张延召; 杨志坚; 于彤军; 方浩 【主权项内容】一种生长p-AlGaN的方法，在用金属有机化学气相沉积方法生长p型AlGaN层时同时通入三甲基铟作为活性剂。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【被引证次数】9 【被自引次数】1.0 【被他引次数】8.0 【家族被引证次数】9
