【摘要】 一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包括： 一脊形区；一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中 间位置；两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式 结构的两侧；上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构 和两包覆散热区的上表面；该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116832.4 【申请日】2008-07-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630812A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101630812B 【授权公告日】2011-01-26 【授权公告年份】2011.0 【发明人】刘俊岐; 刘峰奇; 李路; 王利军; 王占国 【主权项内容】1、一种集成肋片式红外半导体激光器结构，其特征在于，该结构包 括： 一脊形区； 一集成肋片式结构，该集成肋片式结构制作在脊形区上面的中间位 置； 两包覆散热区，该两包覆散热区制作在脊形区上面、集成肋片式结构 的两侧； 上、下欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在集成肋片式结构和两包覆 散热区的上表面；该下欧姆接触层制作在脊形区的下表面。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】7 【被自引次数】3.0 【家族被引证次数】7
