【摘要】 本发明涉及了一种低熔点玻璃制备窑炉，包括炉池，所述炉池顶部设有 盖板，所述盖板中部设有与所述炉池导通连接的进料口，所述进料口周围部 设有位于所述盖板上方的热源，所述热源覆盖面积小于所述炉池水平横截面 面积的1/8；与所述进料口相对的所述炉池底部位置设有与所述炉池导通连 接的出料口。本发明通过热源局部加热炉池，在炉池内外形成温度分布梯度， 炉池内壁可形成玻璃液的固态本体，通过玻璃液的固态本体阻止高温玻璃液 与炉池内壁的直接接触，有效避免了高温玻璃液对炉池的腐蚀，延长炉池使 用寿命，明显降低了低熔点玻璃的制备成本；通过玻璃液的固态本体抗腐蚀， 还有利于提高所制备的低熔点玻璃的纯度。 【专利类型】发明申请 【申请人】京东方科技集团股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016北京市朝阳区酒仙桥路10号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810118844.0 【申请日】2008-08-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101659509A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【发明人】李宏彦 【主权项内容】1、一种低熔点玻璃制备窑炉，其特征在于，包括炉池，所述炉池顶部设 有盖板，所述盖板中部设有与所述炉池导通连接的进料口，所述进料口周围 部设有位于所述盖板上方的热源，所述热源覆盖面积小于所述炉池水平横截 面面积的1/8；与所述进料口相对的所述炉池底部位置设有与所述炉池导通 连接的出料口。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】911100001011016602
