【摘要】 一种栅极介质层的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上具有 氧化硅层；对所述氧化硅层执行氮化工艺，形成含氮的氧化硅层；其中， 所述氮化工艺至少有一步为离子注入氮化工艺。本发明还提供一种栅极 介质层、半导体器件及其制造方法。本发明能够根据 需要调节栅极介质层中氮的分布。。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810115966.4 【申请日】2008-06-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620995A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336; H01L21/3115; H01L29/51; H01L29/78; H01L21/02 【发明人】吴汉明; 高大为 【主权项内容】1、一种栅极介质层的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，在所述基底上具有氧化硅层； 对所述氧化硅层执行氮化工艺，形成含氮的氧化硅层； 其中， 所述氮化工艺至少有一步为离子注入氮化工艺。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】16 【他引次数】1.0 【被自引次数】5.0 【被他引次数】11.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】16
