【摘要】 一种自支撑空气桥互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的一层或者一层以上的介质材料层，所述半导体衬底以及介质材料内形成有半导体器件和互连结构；去除所述半导体器件以及互连结构之间的介质材料层；提供基体材料以及位于基体材料上的第一材料层和第二材料层；通过第一材料层和第二材料层，在基体材料内进行离子注入，形成离子注入层；键合所述第二材料层以及距离半导体衬底最远的互连结构；分离所述基体材料与第一材料层。所述方法使键合工艺变得简单可控，由于所述的基体材料内形成有离子注入层，所以，在键合之后，可以将基体材料层从第一材料层上去除。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810112804.5 【申请日】2008-05-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101593719B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101593719B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/768 【发明人】肖德元; 郭景宗; 刘永 【主权项内容】一种自支撑空气桥互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的一层或者一层以上的介质材料层，所述半导体衬底以及介质材料内形成有半导体器件和互连结构及支撑结构；去除所述半导体器件以及互连结构之间的介质材料层；提供基体材料以及位于基体材料上的第一材料层和第二材料层；通过第一材料层和第二材料层，在基体材料内进行离子注入，形成离子注入层；键合所述第二材料层以及距离半导体衬底最远的互连结构和支撑结构；分离所述基体材料与第一材料层，所述支撑结构不与半导体器件连接。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
