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一种膏桐离体叶片植株再生的方法专利

发布时间:2026-06-09

【摘要】 本发明属于植物组织培养中的一项苗木生产应用技术,具体来说是通过组织培养中不定芽的直接诱导来进行大规模生产膏桐组培苗的方法,包括无菌苗的获得,不定芽诱导,不定芽增殖,不定芽的生根培养,生根苗的炼苗与移栽,通过调整激素浓度和配比,使得膏桐离体叶片不经过愈伤组织便可直接产生不定芽,大大地提高了其遗传性状的稳定性;此外,缩短了不定芽产生的时间,而且出芽率高,达到了90%以上,对膏桐今后的大面积扩繁具有重要的利用价值。。 【专利类型】发明授权 【申请人】西南林学院 【申请人类型】学校 【申请人地址】650224 云南省昆明市盘龙区白龙路300号 【申请人地区】中国 【申请人城市】昆明市 【申请人区县】盘龙区 【申请号】CN200810058988.1 【申请日】2008-09-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101361457B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101361457B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】A01H4/00; C12N5/04 【发明人】胥辉; 唐军荣; 马焕成; 欧光龙 【主权项内容】一种膏桐离体叶片植株再生的方法,包括无菌苗的获得,不定芽诱导,不定芽增殖,不定芽的生根培养,生根苗的炼苗与移栽,其特征在于各步骤具体如下:(1)选种,催芽,消毒后取种胚接种于MS+6-BA0.1mg/L+NAA0.05mg/L培养基上,光强为1000-3000Lux,光照时间12小时每天,温度在25-28℃间,7天后便可得到生长健壮的无菌苗;(2)取无菌苗的叶片,接种在MS+6-BA1.0mg/L+KT1.0mg/L+NAA0.03mg/L的培养基上,光强为1000-3000Lux,光照时间12小时每天,温度在25-28℃间,25天后便可在叶片上直接产生大量的不定芽;(3)将获得的嫩芽转接到增殖培养基MS+6-BA0.5mg/L+KT0.5mg/L+NAA0.05mg/L上,20天后便又可生成更多的不定芽,光照时间12小时每天,光强为1000-3000Lux,温度在25-28℃间;(4)将经过反复转接后的不定芽切下,转至生根培养基MS+NAA0.1-0.3mg/L上,15天后便开始生根,光强为3000-5000Lux,光照时间12小时每天,温度在25-28℃间;(5)将生根苗在自然光照条件下,过渡一星期,取出生根苗,洗净沾附在小苗根部的培养基,用0.02mg/LNAA的溶液浸泡1分钟,便可移栽到经过灭菌的基质当中。 【当前权利人】西南林学院 【当前专利权人地址】云南省昆明市盘龙区白龙路300号 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】4

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