【摘要】 本发明涉及微丝电极阵列的装配技术，特别涉及一种使用硅阵列孔装配微丝电极的技术。采用普通光刻和化学各向异性腐蚀的方法，能够制作具有高精度、低成本、孔径和排布方式可控的硅阵列孔，通过环氧树脂的固定来完成微丝电极的二维或三维装配。本方法适合小尺寸微丝电极阵列的组装及器件封装，阵列孔可以方便的根据微丝的半径、间距、排布方式等进行用户定制。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810102800.9 【申请日】2008-03-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101543406B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101543406B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】A61B5/0478; B81C1/00 【发明人】陈弘达; 朱琳; 裴为华; 张旭 【主权项内容】一种使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：选择一表面晶向为100的硅片；在所述硅片上制作出侧壁光滑的阵列孔；根据电极植入深度确定微丝长度，将记录端削尖以记录信号；将微丝记录端垂直插入所述硅片的阵列孔，调节微丝记录端长度，并使每根微丝电极在垂直方向上互相平行，在所述阵列孔背面涂覆环氧树脂，并置于烘箱中加热，用于将微丝电极阵列固定在阵列孔中；将微丝电极阵列的连接端与外部电路相连；在所述连接处涂覆环氧树脂并加热固化，实现绝缘并保持其机械性能稳定。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【家族被引证次数】14
