【摘要】 一种LDMOS芯片的轻掺杂漂移区结构及形成方法，首先在LDD掺杂前结构的上表面覆盖一层薄膜层，形成覆盖薄膜层后的LDD附近结构，再通过物理化学方法在LDD附近结构形成离子注入阻挡层进而形成LDD掺杂前结构，阻挡层其厚度从靠近栅区一侧到靠近漏区一侧逐渐减小，最后对LDMOS芯片器件的表面进行N型杂质的离子注入，最终形成一个纵向和横向同时近似线性增加的LDD结构。本发明的LDD在横向和纵向同时形成浓度梯度，使LDD掺杂浓度从靠近栅侧到靠近漏侧线性上升，与常规LDMOS相比，本发明可在保持漏极电阻基本不变的情况下提高器件击穿电压，或者在保持器件击穿电压基本不变的同时大大减小漏极电阻，提高了LDMOS器件频率和功率性能。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京时代民芯科技有限公司; 中国航天时代电子公司第七七二研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】丰台区 【申请号】CN200810224835.X 【申请日】2008-10-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101399288B 【公开公告日】2010-08-25 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101399288B 【授权公告日】2010-08-25 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336; H01L21/265 【发明人】冯幼明; 王传敏 【主权项内容】一种LDMOS芯片的轻掺杂漂移区结构形成方法，其特征在于包括以下步骤：第一步：在待掺杂的轻掺杂漂移区的上表面覆盖一层薄膜层，形成覆盖薄膜层后的轻掺杂漂移区附近结构，所述薄膜层采用二氧化硅，厚度为几百纳米的量级；第二步：通过物理化学方法在轻掺杂漂移区附近结构形成离子注入阻挡层，所述阻挡层其厚度从靠近栅区一侧到靠近漏区一侧逐渐减小，进而形成轻掺杂漂移区掺杂前结构；第三步：对LDMOS芯片器件的表面进行N型杂质的离子注入，使轻掺杂漂移区的掺杂浓度在纵向和横向同时形成近似线性增加的浓度梯度，所述阻挡层去除或保留，所述的纵向为从LDMOS芯片上表面到下表面直至衬底下方，所述的横向为从靠近栅区一侧到靠近漏区一侧。 【当前权利人】北京时代民芯科技有限公司; 中国航天时代电子公司第七七二研究所 【当前专利权人地址】北京市丰台区东高地四营门北路2号; 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110000781701976T 【家族被引证次数】24
