【摘要】 一种复合膜片压力传感器结构，包括：一单晶硅层，该单晶硅层的一面为凹型；一多孔硅层，该多孔硅层生长在单晶硅层凹型的内表面。本发明在不影响低量程传感器灵敏度的前提下，采用多孔硅和单晶硅复合膜片，减小膜片的非线性形变，从而减小膜片挠度，最终达到提高低量程传感器灵敏度或降低非线性的目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224110.0 【申请日】2008-10-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101726384A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G01L7/08; G01L7/02 【发明人】王晓东; 樊中朝; 季安; 邢波; 杨富华 【主权项内容】一种复合膜片压力传感器结构，包括：一单晶硅层，该单晶硅层的一面为凹型；一多孔硅层，该多孔硅层生长在单晶硅层凹型的内表面。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】7 【被自引次数】2.0 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】7
