【摘要】 可抑制CSP薄板坯结晶器液面动态失稳的水口，属于薄板坯连铸技术领域，提供了两种可稳定液面波动和结晶器内部流场的浸入式水口结构，适用于CSP薄板坯高效连铸。其特征是采用三孔水口结构和四孔水口结构。可有效的抑制CSP薄板坯结晶器内液面动态失稳现象发生，液面波动和表面流速稳定，结晶器流场内流股运动稳定；可消除液面周期性严重卷渣；均匀弯月面附近铸坯传热，进而抑制铸坯的纵裂纹等缺陷的产生。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810115936.3 【申请日】2008-06-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101298093B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101298093B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】B22D11/10; B22D41/50 【发明人】王新华; 王现辉; 张炯明; 王万军; 于会香 【主权项内容】可抑制CSP薄板坯结晶器液面动态失稳的水口，其特征是采用三孔水口结构或四孔水口结构；三孔水口结构中：A，水口倾角；B，底开孔上部直径；B′，底开孔下部直径；C，水口底挡块长度；D，水口总长度；E，水口底端到水口出口上沿高度；F，扩角；G，水口宽度方向扩张角；d1，水口顶端外径；d2，水口顶端内径；d3，上水口外径；R1，出口上壁圆倒角半径；R2，出口挡块倒角半径；I，下水口外壁厚度；J，下水口内壁厚度；K，出口上沿外壁厚度；H1，上水口加厚部分；H2，圆内径部分长度；H3，上水口厚壁部分高度；尺寸范围：A，50～70°；B，φ22～φ30mm；B′，φ30～φ35mm；C，75～85mm；D，1045～1060mm；E，132～138mm；E1，80～90mm；F，9～12°；G，4～5°；d1，φ145～φ155mm；d2，φ75～φ80mm；d3，φ118～φ126mm；R1，14～18mm；R2，15～20mm；I，64～70mm；J，20～28mm；K，78～85mm；H1，125～130mm；H2，315～320mm；H3，25～30mm。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【家族被引证次数】2
