【摘要】 本发明提供了一种阻止小磁体在气相沉积薄膜过程中产生凸起的方法，该方法包括：喷砂处理：对磁体的表面进行喷砂处理；混料：将填料和磁体按比例混合后装入滚筒；抽真空：将滚筒放入真空室抽真空；离子轰击和蒸发镀铝Al：对蒸发源进行离子轰击，并转动滚筒对磁体进行蒸发镀铝。根据本发明，通过在镀膜前控制磁体表面的粗糙度、选择理想的填料、控制滚筒的转速以及蒸发源到滚筒的距离等方法解决了小磁体产品滚镀过程中产生凸起的现象。本发明无需对设备进行复杂改动，同时保证了良好的生产效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京中科三环高技术股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100190 北京市海淀区中关村东路66号甲1号长城大厦27层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240986.4 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101760722A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101760722B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C23C14/22; C23C14/14; C23C14/02 【发明人】王湛; 陈国安; 王浩颉; 钮萼; 李正; 饶晓雷; 胡伯平 【主权项内容】一种阻止小磁体在气相沉积薄膜过程中产生凸起的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)喷砂处理：对磁体的表面进行喷砂处理，喷砂处理后磁体的表面粗糙度Ra为0.8μm～25μm；(2)混料：将填料和磁体按比表面积比为1∶2～1∶4混合后装入滚筒；(3)抽真空：将滚筒放入真空室抽真空；(4)离子轰击和蒸发镀铝：对蒸发源进行离子轰击，并转动滚筒对磁体进行蒸发镀铝；其中，在蒸发过程中，蒸发源在与地面垂直方向上的蒸发距离随时间做匀速往复运动周期性变化；在蒸发镀铝过程中，滚筒转速随时间做匀速周期性变化。 【当前权利人】北京中科三环高技术股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村东路66号甲1号长城大厦27层 【专利权人类型】股份有限公司(中外合资、上市) 【统一社会信用代码】91110000700228137T 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
