【摘要】 本发明涉及纳米加工技术领域，公开了一种在厚负性高分辨率电子束 抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法，包括：A.对衬底进行表面清洁及热 处理；B.在衬底上涂敷负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ厚胶层；C.对 涂敷了HSQ厚胶层的衬底进行前烘；D.对HSQ厚胶层进行密集图形的 电子束直写曝光；E.显影的准备工作及实施显影；F.定影及干燥；G. 进行后续的图形转移工艺。利用本发明，抑制了背散射效应对低灵敏度负 性抗电子束蚀剂层上制作密集图形时尤为严重的邻近效应的影响，并且避 免由于抗蚀剂层应力、缺陷，以及显影气泡等因素造成的光刻图形漂移或 倒塌的现象，使得利用负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ制作密集图形的 厚胶工艺实用化。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810116381.4 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625522A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101625522B 【授权公告日】2012-03-21 【授权公告年份】2012.0 【发明人】赵珉; 朱效立; 陈宝钦; 刘明 【主权项内容】1、一种在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法， 其特征在于，该方法包括： A、对衬底进行表面清洁及热处理； B、在衬底上涂敷负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ厚胶层； C、对涂敷了HSQ厚胶层的衬底进行前烘； D、对HSQ厚胶层进行密集图形的电子束直写曝光； E、显影的准备工作及实施显影； F、定影及干燥； G、进行后续的图形转移工艺。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】5 【被自引次数】4.0 【家族被引证次数】5
