【摘要】 本发明公开了一种铜的化学机械抛光方法，以清除金属-电介质-金属(MIM)结构中较难去除干净的铜残留。首先将具有MIM结构的晶片置于第一研磨垫上进行粗加工研磨，去除表面大部分铜；再将所述晶片置于第二研磨垫上进行精加工研磨，去除晶片表面残存的铜；将所述晶片置于第三研磨垫上进行研磨，以去除晶片表面上的阻挡层残留，并减小深台阶的高度差；将所述晶片再次置于第一研磨垫和/或第二研磨垫上面研磨以去除深台阶底部的铜残留；最后再将晶片置于第三研磨垫上进行最后的平坦化。本发明可有效的对MIM结构中特定区域的铜残留进行清除，并能显著减小浆料的消耗和MIM结构中特定区域的过研磨现象。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810226330.7 【申请日】2008-11-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740378A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740378B 【授权公告日】2011-07-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/321; H01L21/02; H01L21/768; H01L21/70 【发明人】牛孝昊 【主权项内容】一种铜化学机械抛光方法，将具有金属-电介质-金属结构的晶片置于第一研磨垫上进行粗加工研磨，除去晶片表面的大部分铜；再将所述晶片置于第二研磨垫上进行精加工研磨，去除晶片表面残存的铜；其特征在于，在上述步骤之后，包括如下步骤：将所述晶片第一次置于第三研磨垫上进行研磨，以去除晶片表面的阻挡层残留并降低金属-电介质-金属区域中深台阶的高度差；将所述晶片第二次置于所述第一研磨垫和/或第二次置于所述第二研磨垫上进行研磨，以去除金属-电介质-金属结构中深台阶底部的铜残留；将所述晶片第二次置于所述第三研磨垫上进行研磨。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】10 【被自引次数】4.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10
