【摘要】 本发明公开了一种掩膜板及其制造方法、TFT基板制造方法，其中掩膜 板制造方法包括：步骤10、将掩膜板信息写入存储晶体，使得所述存储晶体 制备成掩膜板。其中TFT制造方法除了包括步骤10，还包括步骤20、将光束 射向所述掩膜板，透过所述存储晶体携带所述掩膜板信息的光束对涂有光刻 胶的TFT基板进行曝光。本发明提供的掩膜板及其制造方法、TFT基板制造 方法，通过采用铌酸锂、钛酸钡等具有光折变性质的晶体存储掩膜板信息， 达到了制作过程环保无污染，可利用一块晶体制作多块掩膜板，可重复利用 存储晶体，降低成本等效果。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222265.0 【申请日】2008-09-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673047A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G03F1/00; G03F7/20; G02F1/355; H01L21/84; G03F1/26 【发明人】明星; 周伟峰; 郭建; 赵鑫 【主权项内容】1、一种掩膜板制造方法，其特征在于，包括： 步骤10、将掩膜板信息写入存储晶体，使得所述存储晶体成为掩膜板。 【当前权利人】北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932
