【摘要】 一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上依次形成掩膜层、抗反射及刻蚀阻挡复合层和第一光刻胶层；将掩模版半导体器件图形转移至第一光刻胶层上，形成第一光刻胶器件图形；以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射及刻蚀阻挡复合层至露出掩膜层，形成第一器件图形；去除第一光刻胶层后，在抗反射及刻蚀阻挡复合层和掩膜层上依次形成抗反射层和第二光刻胶层；相对第一器件图形位置进行偏移，将掩模版器件图形转移至第二光刻胶层上，形成第二光刻胶器件图形；以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层至露出掩膜层，形成目标器件图形。本发明工艺步骤减少，成本降低。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810105902.6 【申请日】2008-05-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101577212B 【公开公告日】2010-09-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101577212B 【授权公告日】2010-09-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; H01L21/033; H01L21/308; H01L21/311 【发明人】邱何; 张峻豪 【主权项内容】一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成掩膜层、抗反射及刻蚀阻挡复合层和第一光刻胶层；将光掩模版上的掩模版半导体器件图形转移至第一光刻胶层上，形成第一光刻胶半导体器件图形；以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射及刻蚀阻挡复合层至露出掩膜层，形成第一半导体器件图形；去除第一光刻胶层后，在抗反射及刻蚀阻挡复合层和掩膜层上依次形成抗反射层和平整的第二光刻胶层；相对第一半导体器件图形位置进行偏移，将光掩模版上的掩模版半导体器件图形转移至第二光刻胶层上，形成第二光刻胶半导体器件图形；以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层至露出掩膜层，形成目标半导体器件图形；去除第二光刻胶层后，以抗反射及刻蚀阻挡复合层和抗反射层为掩膜，刻蚀掩膜层至露出半导体衬底；去除抗反射层和抗反射及刻蚀阻挡复合层，形成目标半导体器件。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4
