【摘要】 本发明公开了一种焊盘的形成方法，包括步骤：提供已形成铜导电结构的衬底；在所述衬底上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成钝化层；在所述钝化层上形成焊盘开口图形；刻蚀所述钝化层形成焊盘开口；利用等离子体对形成焊盘开口后的所述衬底进行灰化处理，并进行原位刻蚀，去除所述焊盘开口底部的所述刻蚀停止层；进行湿法清洗；在所述钝化层上和所述焊盘开口内依形貌覆盖阻挡层；覆盖铝金属，形成铝焊盘。采用本发明的焊盘形成方法，可以有效阻挡铜金属向焊盘内的扩散，提高了焊盘的形成质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810224586.4 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728285A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728285B 【授权公告日】2012-01-18 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/60 【发明人】王新鹏; 张海洋; 孙武 【主权项内容】一种焊盘的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供已形成铜导电结构的衬底；在所述衬底上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成钝化层；在所述钝化层上形成焊盘开口图形；刻蚀所述钝化层形成焊盘开口；利用等离子体对形成焊盘开口后的所述衬底进行灰化处理，并进行原位刻蚀，去除所述焊盘开口底部的所述刻蚀停止层；进行湿法清洗；在所述钝化层上和所述焊盘开口内依形貌覆盖阻挡层；覆盖铝金属，形成铝焊盘。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】9 【他引次数】1.0 【被自引次数】6.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】9
