【摘要】 一种曝光方法，包括：提供基底，所述基底的表面具有膜层，所述 膜层具有至少一个分离的同时曝光区域，每一所述同时曝光区域中包含 分离的检测区和至少一个光学修正区；执行预曝光操作，获得任一所述 同时曝光区域中曝光焦距分布；计算所述检测区的曝光焦距与各光学修 正区的曝光焦距平均值之间的差值；调整所述基底使其偏离水平位置， 使对应所述光学修正区的曝光焦距平均值的光学修正区与检测区间的 高度差等于所述差值；对调整后的所述基底执行曝光操作。可在利用现 有掩模版的前提下减小曝光偏差。本发明还提供了一种掩模版，和一 种掩模版设计方法，利用所述掩模版执行曝光操作时，可减小曝光偏差。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117725.3 【申请日】2008-08-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101644888A 【公开公告日】2010-02-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101644888B 【授权公告日】2011-11-30 【授权公告年份】2011.0 【发明人】黄旭鑫 【主权项内容】1.一种曝光方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底的表面具有膜层，所述膜层具有至少一个同时 曝光区域，各所述同时曝光区域分离，每一所述同时曝光区域中包含检 测区和至少一个光学修正区，所述检测区与各所述光学修正区之间分 离，各所述光学修正区之间分离； 执行预曝光操作，获得任一所述同时曝光区域中曝光焦距分布； 计算所述检测区的曝光焦距fT与各光学修正区的曝光焦距平均值fA 之间的差值(fT-fA)； 调整所述基底使其偏离水平位置，使对应所述光学修正区的曝光焦 距平均值fA的光学修正区与对应所述曝光焦距fT的检测区间的高度差 H＝-(fT-fA)； 对调整后的所述基底执行曝光操作。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
