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面板及面板的制造方法专利

发布时间:2026-06-10

【摘要】 本发明涉及一种面板及面板的制造方法,其中,面板的制造方法包括: 在基板上完成薄膜晶体管阵列和周边图形的制作,形成阵列基板;在所述阵 列基板的四周涂覆主封框胶,主封框胶中未掺杂金球;在所述主封框胶的外 侧涂覆次封框胶,与所述主封框胶部分重叠或完全分离,且位于阵列基板的 连接电极区域内但避开数据线引线的区域,次封框胶中掺杂金球;将所述阵 列基板与彩膜基板进行对盒,形成面板。上述面板及面板的制造方法,由于 在数据线引线区域没有金球的存在,因而不会发生ESD;同时因为金球只掺 杂在次封框胶中,大大减少了金球的使用量,从而降低了面板的成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222430.2 【申请日】2008-09-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101676776A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101676776B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G02F1/13; G02F1/1339; G02F1/1333 【发明人】王章涛; 闵泰烨; 邱海军; 高文宝 【主权项内容】1、一种面板的制造方法,其特征在于包括: 在基板上完成薄膜晶体管阵列和周边图形的制作,形成阵列基板; 在所述阵列基板的四周涂覆主封框胶,主封框胶中未掺杂金球; 在所述主封框胶的外侧涂覆次封框胶,与所述主封框胶部分重叠或完全 分离,且位于阵列基板的连接电极区域内但避开数据线引线的区域,次封框 胶中掺杂金球; 将所述阵列基板与彩膜基板进行对盒,形成面板。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】26 【被自引次数】6.0 【被他引次数】20.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】27

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  • 【摘要】本发明涉及一种管式裂解炉蒸汽裂解制乙烯的方法;由10~30%的碳四和轻烃混合为原料,裂解温度840~860℃,水蒸气原料总量稀释比为0.30~0.60;轻烃包含:直链烷烃40~50%,支链烷烃25~35%,环烷烃15~25%,烯烃
  • 【摘要】一种礼服衣帽箱,包括箱体与箱体盖,还配设有一与箱体和箱体盖活动连接的箱体隔板;所述箱体隔板由底板、背板和上翻盖组成,底板和背板之间、背板与上翻盖之间用多条松紧带连接,底板中间设有一垂向的隔断,上翻盖边缘两端对称设有两个金属按扣,分别
  • 【摘要】本发明公开了一种多晶硅薄膜的形成方法,包括步骤:提供衬底;将所述衬底放入沉积室内;向所述沉积室内通入硅烷,在所述衬底上沉积第一多晶硅层;向所述沉积室内通入硅烷及乙硅烷,在所述第一多晶硅层上沉积过渡多晶硅层;向所述沉积室内通入乙硅烷,
  • 【摘要】本发明公开了一种接触孔形成方法,包括:提供一半导体结构,其 从下至上包括:半导体衬底-导电层-刻蚀阻挡层-介质层;用含氟的第一 气体对半导体结构进行第一刻蚀,停止在介质层和刻蚀阻挡层的交界 处;用含氟的第二气体对半导体结构进行第二刻
  • 【摘要】本发明公开了一种采用阳极液提取锰渣中可溶性锰的成套清洁生产工艺,包括以下步骤:a.将锰渣、电解金属锰生产过程中产生的阳极液输送到提取设备中,同时加入阳极液体积0~0.025倍的硫酸,锰渣与加入液体的固液重量比为1∶1~1∶15;b.