【摘要】 本发明公开了一种多晶硅薄膜的形成方法，包括步骤：提供衬底；将所述衬底放入沉积室内；向所述沉积室内通入硅烷，在所述衬底上沉积第一多晶硅层；向所述沉积室内通入硅烷及乙硅烷，在所述第一多晶硅层上沉积过渡多晶硅层；向所述沉积室内通入乙硅烷，在所述过渡多晶硅层上沉积第二多晶硅层；取出所述衬底。本发明还对应公开了利用该多晶硅薄膜形成栅极的方法。采用本发明的方法形成的多晶硅薄膜不仅兼顾了平整度及界面质量两方面的要求，还可以令多晶硅薄膜的各层间过渡更为平稳，进一步提高了多晶硅薄膜的形成质量。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810105898.3 【申请日】2008-05-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101577221B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101577221B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/205; H01L21/28; H01L21/285; H01L21/336; C30B28/14 【发明人】何永根 【主权项内容】一种多晶硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；将所述衬底放入沉积室内；向所述沉积室内通入硅烷，在所述衬底上沉积第一多晶硅层；向所述沉积室内通入硅烷及乙硅烷，在所述第一多晶硅层上沉积过渡多晶硅层；向所述沉积室内通入乙硅烷，在所述过渡多晶硅层上沉积第二多晶硅层；取出所述衬底。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】5
