【摘要】 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板、已修复薄膜晶体管阵列基板及 薄膜晶体管阵列基板的制造、修复方法，其中薄膜晶体管阵列基板包括栅 线，数据线，栅线和数据线交叉定义的像素单元，每一像素单元包括薄膜晶 体管和像素电极，设置在阵列基板外围的修复线，并与数据线在外围区域形 成交叉，在靠近修复线与数据线交叉部位的修复线上方形成有与修复线接触 的第一电极，在靠近修复线与数据线交叉部位的数据线上方形成有与数据线 接触的第二电极。本发明在数据线和修复线之间形成了特定的图形，当数据 线出现开路的情况时，不需要经过激光焊接，直接通过沉积导电层即可修复， 大幅度提高了修复的成功率，提高了TFT-LCD的良品率。。该数据由<>整理 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117996.9 【申请日】2008-08-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101655640A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101655640B 【授权公告日】2011-07-20 【授权公告年份】2011.0 【发明人】邱海军; 王章涛; 闵泰烨; 赵继刚 【主权项内容】1、一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线，数据线，栅线和数据线交叉 定义的像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，设置在阵列基 板外围的修复线，并与数据线在外围区域形成交叉，其特征在于，在靠近所 述修复线与数据线交叉部位的所述修复线上方形成有与所述修复线接触的第 一电极，在靠近所述修复线与所述数据线交叉部位的所述数据线上方形成有 与所述数据线接触的第二电极。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
