【摘要】 一种光掩模清洗方法，包括：形成包含H+的阳极超纯水及包含 OH-的阴极超纯水；以所述阳极超纯水或所述阴极超纯水清洗所述 光掩模。一种光掩模清洗方法，包括：形成包含H+的阳极超纯水及 包含OH-的阴极超纯水；以所述阳极超纯水对所述光掩模执行清洗 操作；以所述阴极超纯水对经历阳极超纯水清洗操作的光掩模执行 清洗操作。可抑制光掩模上雾状缺陷的产生，延长光掩模的使用寿 命，降低清洗成本；利于改善集成电路制造过程中的环境污染，改 善光掩模的清洗效果。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810115965.X 【申请日】2008-06-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101620372A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G03F1/00; B08B3/00; B08B11/00; H01L21/00; G03F1/82 【发明人】金正培 【主权项内容】1.一种光掩模清洗方法，其特征在于，包括： 形成包含H+的阳极超纯水及包含OH-的阴极超纯水； 以所述阳极超纯水或所述阴极超纯水清洗所述光掩模。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】8 【他引次数】1.0 【被自引次数】4.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】8
