【摘要】 一种铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法，提供半导体基底，所述半导体基底上具有铜互连线以及位于该铜互连线上铝引线焊垫，在所述铜互连线和铝引线焊垫之间具有金属阻挡层；对所述的半导体基底执行烘烤工艺；用清洗液清洗已执行烘烤工艺的半导体基底；执行完清洗工艺后，检测所述铝引线焊垫中的铜扩散缺陷；其中，所述清洗液对铜的刻蚀速率大于对铝的刻蚀速率。本发明还提供一种铝引线焊垫的制造方法。本发明的能够提高检测的准确度。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810112780.3 【申请日】2008-05-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101593713B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101593713B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/66; H01L21/60 【发明人】梁昌; 唐海侠 【主权项内容】一种铝引线焊垫中铜扩散缺陷的检测方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有铜互连线以及位于该铜互连线上铝引线焊垫，在所述铜互连线和铝引线焊垫之间具有金属阻挡层；对所述的半导体基底执行烘烤工艺；用清洗液清洗已执行烘烤工艺的半导体基底，以清洗所述铝引线焊垫中的铜扩散缺陷，在所述铝引线焊垫的铜扩散缺陷处产生凹陷缺陷；执行完清洗工艺后，检测所述铝引线焊垫中的铜扩散缺陷；其中，所述清洗液对铜的刻蚀速率大于对铝的刻蚀速率。。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8
