【摘要】 一种半导体器件中互连线形成方法，包括：在基底上形成具有互连线结构的介质层及覆盖所述互连线结构的底壁和侧壁的晶种层；采用第一电流形成覆盖所述晶种层的底电镀分层；形成覆盖所述底电镀分层并填充所述互连线结构的顶电镀分层；形成所述顶电镀分层的步骤包括：采用过渡电流形成覆盖所述底电镀分层的过渡电镀分层，所述过渡电流介于所述第一电流和第二电流之间，所述第二电流使形成后续电镀分层顶层的速率高于采用所述第一电流形成所述底电镀分层的速率；采用所述第二电流形成覆盖所述过渡电镀分层的电镀分层顶层。可减少电镀过程中孔洞的产生。。-官网 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227019.4 【申请日】2008-11-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740481A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740481B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/70 【发明人】聂佳相; 康芸; 杨瑞鹏 【主权项内容】一种半导体器件中互连线形成方法，包括，在基底上形成具有互连线结构的介质层及覆盖所述互连线结构的底壁和侧壁的晶种层；采用第一电流形成覆盖所述晶种层的底电镀分层；形成覆盖所述底电镀分层并填充所述互连线结构的顶电镀分层；其特征在于，形成所述顶电镀分层的步骤包括：采用过渡电流形成覆盖所述底电镀分层的过渡电镀分层，所述过渡电流介于所述第一电流和第二电流之间，所述第二电流使形成后续电镀分层顶层的速率高于采用所述第一电流形成所述底电镀分层的速率；采用所述第二电流形成覆盖所述过渡电镀分层的电镀分层顶层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】4 【他引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4
