【摘要】 本发明公开了一种接触孔形成方法，包括：提供一半导体结构，其 从下至上包括：半导体衬底-导电层-刻蚀阻挡层-介质层；用含氟的第一 气体对半导体结构进行第一刻蚀，停止在介质层和刻蚀阻挡层的交界 处；用含氟的第二气体对半导体结构进行第二刻蚀，停止在刻蚀阻挡层 内；用含氟的第三气体对半导体结构进行第三刻蚀，形成接触孔；其中， 用所述第二气体刻蚀大于用第三气体刻蚀，介质层与刻蚀阻挡层的刻蚀 选择比；并且，用所述第二气体刻蚀小于用第一气体刻蚀，介质层与刻 蚀阻挡层的刻蚀选择比。该方法使得介质层、刻蚀阻挡层充分打开，接 触孔连通导电层。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810118409.8 【申请日】2008-08-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101651116A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101651116B 【授权公告日】2011-10-05 【授权公告年份】2011.0 【发明人】韩秋华; 陈海华; 韩宝东 【主权项内容】1、一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括步骤： 提供一半导体结构，所述半导体结构从下至上包括：半导体衬底- 导电层-刻蚀阻挡层-介质层； 用含氟的第一气体对半导体结构进行第一刻蚀，刻蚀停止在介质层 和刻蚀阻挡层的交界处； 用含氟的第二气体对半导体结构进行第二刻蚀，刻蚀停止在刻蚀阻 挡层内； 用含氟的第三气体对半导体结构进行第三刻蚀，将刻蚀阻挡层刻 尽，形成接触孔，所述接触孔的底部暴露导电层； 其中，用所述第二气体刻蚀时大于用第三气体刻蚀时，介质层与刻 蚀阻挡层的刻蚀选择比；并且， 用所述第二气体刻蚀时小于用第一气体刻蚀时，介质层与刻蚀阻挡 层的刻蚀选择比。。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
