【摘要】 本发明公开了一种二氧化碳超临界流体半导体清洗设备，用于半导体硅片的无水清洗。该设备包括进行超临界流体清洗和超临界干燥的主工作室、分离二氧化碳和清洗废液的分离室、存放增强清洗效果的清洗剂及助溶剂的暂存罐和对二氧化碳进行压缩、散热和存储的二氧化碳循环控制系统等几大部分。各部分通过带阀门的管道进行连接。在少量有机溶剂的配合下，以无表面张力的二氧化碳超流体为清洗媒体和漂洗液，深入微小孔隙获得良好的清洗和干燥效果。利用本发明提供的设备，避免了纯水的大量消耗和化学药剂带来的污染，解决了传统工艺中由于表面张力造成的结构变形和颗粒吸附等问题，而且二氧化碳循环使用减少了温室气体的大量排放。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810227485.2 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740342A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740342B 【授权公告日】2011-08-31 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; B08B7/00 【发明人】景玉鹏; 高超群 【主权项内容】一种绿色二氧化碳超临界流体半导体清洗设备，其特征在于，该设备包括主工作室(1)、分离室(3)、清洗剂及助溶剂暂存罐(4)、温度及压力控制系统(7)和二氧化碳循环控制系统(8)，其中，主工作室(1)，用于半导体硅片的超临界流体清洗和超临界干燥，固定在支座(10)上，该主工作室(1)内部安装有温度传感器(106)和压力传感器(107)，腔室内部的温度受温度控制系统(7)的控制；分离室(3)，用于二氧化碳与清洗废液的分离，固定在支座(10)上，通过带电磁阀(105)的管道(104)与主工作室(1)相连，通过分离室排气管道(301)和二氧化碳循环控制系统(8)相连；清洗剂及助溶剂暂存罐(4)，用于存放辅助清洗的有机溶剂，通过带电磁阀(403)的管道(402)与主工作室(1)的二氧化碳入口管道(103)相连；温度控制系统(7)，用于对主工作室(1)和分离室(3)腔室内部的温度进行控制；二氧化碳循环控制系统(8)，用于实现整套设备的二氧化碳循环控制工作，固定在支座(10)上，由液体二氧化碳储气罐和压缩机构成，对二氧化碳进行压缩、散热和存储，同时完成主工作室(1)和分离室(3)的制冷任务。 ： 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】22 【被自引次数】6.0 【被他引次数】16.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】22
