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腔室窗及等离子体工艺腔室专利

发布时间:2026-06-11

【摘要】 本发明公开了一种腔室窗及等离子体工艺腔室,腔室窗包括上盖,上盖的下表面设有内衬,腔室窗的边缘部位设有楔形支座,上盖和内衬支撑于楔形支座上,上盖与楔形支座之间设有密封圈,楔形支座支撑于工艺腔室的腔体上。工艺过程中,上盖部分主要承受大气压力;内衬部分主要抵抗等离子气体轰击和腐蚀,对上盖起到保护作用,可以通过更换内衬,延长上盖的使用寿命,减小对加工工艺的影响。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810226478.0 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740336A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740336B 【授权公告日】2013-03-27 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/3065; H01J37/32; H01L21/02 【发明人】李俊杰 【主权项内容】一种腔室窗,包括上盖,其特征在于,所述上盖的下表面设有内衬。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】5 【被自引次数】3.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5

  • 【摘要】一种形成侧墙方法,包括如下步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极结构、形成于栅极结构两侧及其上的第一侧墙层和第二侧墙层;刻蚀栅极结构上和半导体衬底上的第二侧墙层;刻蚀栅极结构两侧与半导体衬底相交处的第二侧墙层至预定尺寸;去
  • 【摘要】本发明公开了一种导电结构的形成方法,包括步骤:提供已形成下层导电结构的衬底;在所述衬底上依次形成刻蚀停止层和层间介质层;在所述层间介质层上定义导电结构开口图形;以所述导电结构开口图形为掩膜,刻蚀所述层间介质层形成导电结构开口;刻蚀所
  • 【摘要】本发明公开了一种对滩涂泥土固化作业的机车,由驾驶、动力部分(4)、轮系传动组件(1)、支撑架组件(2)、升降臂组件(3)和搅拌固化组件(5)组成;轮系传动组件(1)是保证本发明机车能够在滩涂、淤泥、沙地等不能行驶陆地车的地方进行行走
  • 【摘要】本发明提供一种多晶硅预掺杂方法,具体为:在多晶硅薄膜上沉积一层 隔离层,所述隔离层易于从多晶硅薄膜上剥离;在隔离层上覆盖一层光刻胶, 并将图形转移到光刻胶上;在进行离子注入后利用干法和湿法去除光刻胶; 最后利用湿法去除隔离层。应用本
  • 【摘要】本发明提供了一种液晶显示器阵列基板及其断线检测方法。阵列基板 包括显示区域和检测区域,显示区域内设置有作为信号线的栅线和数据线, 检测区域内设置有测试线和移位选择开关装置,测试线与信号线的一端连接, 信号线的另一端连接移位选择开关装
  • 【摘要】本发明涉及一种具有音圆标识的键盘乐器,根据对应于音圆乐器键盘 的音圆标识名称,在传统键盘乐器的每个琴键上,标识所述的音符所处的 位置名称。所述音圆标识镶嵌或内置于琴键之中,也可镶嵌或内置于琴键 边的琴体之中。初学者可迅速上手弹琴,不