【摘要】 一种形成侧墙方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构、形成于栅极结构两侧及其上的第一侧墙层和第二侧墙层；刻蚀栅极结构上和半导体衬底上的第二侧墙层；刻蚀栅极结构两侧与半导体衬底相交处的第二侧墙层至预定尺寸；去除栅极结构上和半导体衬底上的第二侧墙层。本发明通过将刻蚀栅极结构两侧与半导体衬底相交处的第二侧墙层至预定尺寸的刻蚀步骤与去除栅极结构上和半导体衬底上残留的第二侧墙层的步骤分开进行，达到容易控制侧墙形状的目的。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810114300.7 【申请日】2008-06-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101599429B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101599429B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/311; H01L21/335 【发明人】王新鹏; 韩宝东; 韩秋华; 孙武 【主权项内容】一种形成侧墙方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构、形成于栅极结构两侧及其上的第一侧墙层和第二侧墙层，所述第一侧墙层含有氮化硅层；刻蚀栅极结构上和半导体衬底上的第二侧墙层；刻蚀栅极结构两侧与半导体衬底相交处的第二侧墙层至预定尺寸，所述刻蚀栅极结构两侧与半导体衬底相交处的第二侧墙层至预定尺寸的气体包括O2和CHF3，其流量范围分别为20至30sccm和110至140sccm；去除栅极结构上和半导体衬底上的第二侧墙层和第一侧墙层中的氮化硅层，所述去除栅极结构上和半导体衬底上的第二侧墙层的刻蚀气体包括CH3F和O2，其流量范围分别为180至220sccm和100至150sccm。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】11
