【摘要】 本发明公开了一种导电结构的形成方法，包括步骤：提供已形成下层导电结构的衬底；在所述衬底上依次形成刻蚀停止层和层间介质层；在所述层间介质层上定义导电结构开口图形；以所述导电结构开口图形为掩膜，刻蚀所述层间介质层形成导电结构开口；刻蚀所述导电结构开口底部的刻蚀停止层，且所述刻蚀过程中加入的氧气流量在15sccm至25sccm之间；在所述导电结构开口内填充金属，形成导电结构。本发明还对应公开了一种焊盘形成方法。利用本发明的导电结构及焊盘的形成方法，可以提高导电结构或焊盘的形成质量，有效改善器件的电性能。。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810224804.4 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728317A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728317B 【授权公告日】2014-07-02 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/60 【发明人】王新鹏; 张海洋; 孙武 【主权项内容】一种导电结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供已形成下层导电结构的衬底；在所述衬底上依次形成刻蚀停止层和层间介质层；在所述层间介质层上定义导电结构开口图形；以所述导电结构开口图形为掩膜，刻蚀所述层间介质层形成导电结构开口；刻蚀所述导电结构开口底部的刻蚀停止层，且所述刻蚀过程中加入的氧气流量在15sccm至25sccm之间；在所述导电结构开口内填充金属，形成导电结构。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】8 【他引次数】1.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8
