【摘要】 本发明公开了一种TFT性能测试装置及其制造方法和TFT性能测试方法， 其中TFT性能测试装置包括设置在阵列基板空闲区域的至少一个测试TFT， 测试TFT包括：第二栅电极，设置在基板上；第二栅绝缘层，形成在第二栅 电极上；第二非晶硅层，形成在第二栅绝缘层上；第二源电极、第二漏电极 以及至少一个测试电极，形成在第二非晶硅层上；第二漏电极和第二源电极 之间形成TFT沟道；测试电极设置在第二源电极和第二漏电极之间；第二掺 杂非晶硅层，形成在第二源电极与第二非晶硅层之间、第二漏电极与第二非 晶硅层之间以及测试电极与所述第二非晶硅层之间。本发明提供的TFT性能 测试装置可以实现液晶显示器中TFT的沟道特性测试。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222370.4 【申请日】2008-09-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677094A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677094B 【授权公告日】2011-06-29 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L23/544; H01L21/00; H01L21/66 【发明人】于洪俊; 黄婕妤; 肖光辉; 吴昊 【主权项内容】1、一种TFT性能测试装置，其特征在于，包括在液晶显示器制作过程中 设置在阵列基板上空闲区域上的至少一个测试TFT，所述测试TFT包括： 第二栅电极，设置在所述阵列基板上； 第二栅绝缘层，形成在所述第二栅电极上； 第二非晶硅层，形成在所述第二栅绝缘层上； 第二源电极、第二漏电极以及至少一个测试电极，形成在所述第二非晶 硅层上；所述第二漏电极和所述第二源电极之间形成TFT沟道；所述至少一 个测试电极设置在所述第二源电极和所述第二漏电极之间； 第二掺杂非晶硅层，形成在所述第二源电极与所述第二非晶硅层之间、 所述第二漏电极与所述第二非晶硅层之间以及所述测试电极与所述第二非晶 硅层之间。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】15 【被自引次数】12.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】17
