【摘要】 一种退磁技术领域的微型处理器控制的稳磁装置，包括：储能电容、稳磁线圈、双向可控硅、限流电阻、取样分压第一电阻、取样分压第二电阻、取样分压第三电阻、取样分压第四电阻、测控单元、微型处理器、稳磁值设置单元、显示单元，四个电阻串联连接，形成三个分压值以供测控单元取样，储能电容并接于串联的电阻两端，稳磁线圈与储能电容和限流电阻连接，形成一个充放电回路，稳磁线圈的一端与双向可控硅一端连接，双向可控硅的另一端与测控单元和微型处理器分别连接，微型处理器根据反馈信号控制双向可控硅的通断，显示单元负责检测磁通量密度值，一端与微处理单元相连，稳磁值设定单元分别与测控单元、微型处理器、取样分压第四电阻相连。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200240 上海市闵行区东川路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810040706.5 【申请日】2008-07-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101404200B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101404200B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01F13/00 【发明人】翁新华; 朱爱 【主权项内容】 一种微型处理器控制的稳磁装置，包括：储能电容(C)、稳磁线圈(L)，其特征在于，还包括：双向可控硅(K)、限流电阻(R0)、取样分压第一电阻(R1)、取样分压第二电阻(R2)、取样分压第三电阻(R3)、取样分压第四电阻(R4)、测控单元、微型处理器、稳磁值设定单元、显示单元，取样分压第一电阻(R1)与取样分压第二电阻(R2)、取样分压第三电阻(R3)、取样分压第四电阻(R4)串联连接，形成三个分压值以供测控单元取样，储能电容(C)并接于取样分压第一电阻(R1)、取样分压第二电阻(R2)、取样分压第三电阻(R3)、取样分压第四电阻(R4)串联连接的两端，稳磁线圈(L)与储能电容(C)和限流电阻(R0)连接，形成一个充放电回路，充电时产生的电流对放置在稳磁线圈(L)内的磁钢体进行充磁，放电时对放置在稳磁线圈(L)内的磁钢体进行退磁，稳磁线圈(L)的一端与双向可控硅(K)一端连接，双向可控硅(K)的另一端与测控单元和微型处理器分别连接，作为电路的充放电控制开关，微型处理器根据反馈信号控制双向可控硅(K)的通断，显示单元负责检测磁通量密度值，一端与微处理单元相连，稳磁值设定单元分别与测控单元、微型处理器、取样分压第四电阻(R4)相连，用于设定稳磁值。 【当前权利人】上海交通大学 【当前专利权人地址】上海市闵行区东川路800号 【统一社会信用代码】1210000042500615X0 【引证次数】8.0 【他引次数】8.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】3
