【摘要】 本发明涉及一种半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法。该方法， 通过一个单调掩模板形成了栅线、公共线和压花，通过第一双调掩模板形成 了数据线、源/漏电极、反射板和TFT沟道，通过第二双调掩模板形成了与漏 电极连接的像素电极，从而实现了水平电场型半透过式液晶显示装置的阵列 基板的制作。相比现有的水平电场型透过式液晶显示装置的阵列基板的制作， 本发明的阵列基板的制造方法，用一个单调掩模板代替了一个双调掩模板， 并且实现了半透过式阵列基板，从而有效地降低了半透过式阵列基板的制造 成本；另外，相比现有技术在减少一次灰化工艺的前提下实现了水平电场型 半透过式液晶显示装置的阵列基板的制作，从而有效地提高了生产效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810119133.5 【申请日】2008-08-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101661199A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101661199B 【授权公告日】2011-12-28 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G02F1/1362; G02F1/1335; H01L21/84; H01L27/12; G03F7/00; G03F1/00 【发明人】宋泳锡; 崔承镇; 刘圣烈 【主权项内容】1、一种半透过式液晶显示装置的阵列基板制造方法，包括预置层的制作 和后置层的制作，其特征在于，所述预置层的制作包括： 第一次掩模工艺，在基板上沉积第一金属层之后涂布光刻胶，采用单调 掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，在显示区域的反射区域形成压花，并且 形成栅线； 第二次掩模工艺，在经过所述第一次掩模工艺的基板上依次沉积第一绝 缘层、半导体层、掺杂半导体层和第二金属层并且涂布光刻胶，采用第一双 调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻，形成数据线并且在所述显示区域的反 射区域形成反射板，对所述光刻胶进行灰化之后再进行蚀刻，形成薄膜晶体 管沟道、与数据线连接的源电极和漏电极。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5
