【摘要】 本发明涉及一种聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤： (1)将蒙脱土分散于去离子水中，在50～90℃搅拌2～6小时，得到蒙脱土悬浮液， 备用；(2)将聚偏氟乙烯(PVDF)溶解于溶剂中制成聚偏氟乙烯溶液；(3)将 上述蒙脱土悬浮液和聚偏氟乙烯溶液混合均匀，在温度低于150℃下浇注、挥发溶 剂制得聚偏氟乙烯可极化薄膜，该薄膜中蒙脱土含量0.01wt％-20wt％。与现有技术 相比，本发明工艺合理，利用溶液共混法将聚偏氟乙烯和蒙脱土共混浇注成聚偏氟 乙烯可极化薄膜，具有薄膜成型方便、薄膜厚度可调控等优点，适合工业化生产， 同时薄膜本身可极化，可以广泛地应用于压电材料，信息储存器件等行业。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海杰事杰新材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201109上海市闵行区北松路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810041621.9 【申请日】2008-08-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101649058A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101649058B 【授权公告日】2011-07-27 【授权公告年份】2011.0 【发明人】吴同飞; 杨桂生 【主权项内容】1.一种聚偏氟乙烯可极化薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步 骤： (1)将蒙脱土分散于去离子水中，在50～90℃搅拌2～6小时，得到蒙脱土悬 浮液，备用； (2)将聚偏氟乙烯(PVDF)溶解于溶剂中制成聚偏氟乙烯溶液； (3)将上述蒙脱土悬浮液和聚偏氟乙烯溶液混合均匀，在温度低于150℃下 浇注、挥发溶剂制得聚偏氟乙烯可极化薄膜，该薄膜中蒙脱土含量0.01wt％-20wt％。 【当前权利人】上海杰事杰新材料(集团)股份有限公司 【当前专利权人地址】上海市闵行区北松路800号 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
