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一种含贵金属钛硅材料的原位合成方法专利

发布时间:2026-06-12

【摘要】 一种含贵金属钛硅材料的原位合成方法,其特征在于该方法包括下列步 骤:(1)先将钛源和硅源混匀后加入到含有贵金属源的碱源水溶液中混合均匀; (2)加入还原剂,于反应釜中水热处理,并回收产物。该方法使得贵金属与钛 硅分子筛的协同作用得到提高,与现有技术相比,在氧化反应中,例如丙烯环 氧化制备环氧丙烷的反应中,反应产物的选择性和催化活性及稳定性明显提高。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国石油化工股份有限公司; 中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院 【申请人类型】企业 【申请人地址】100029北京市朝阳区惠新东街甲6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810166856.0 【申请日】2008-09-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101683985A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101683985B 【授权公告日】2012-12-12 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C01B39/00 【发明人】林民; 史春风; 朱斌; 舒兴田; 慕旭宏; 罗一斌; 汪燮卿; 汝迎春 【主权项内容】1.一种含贵金属钛硅材料的原位合成方法,其特征在于该方法包括下列步骤: (1)先将钛源和硅源混匀后加入到含有贵金属源的碱源水溶液中混合均 匀,得到摩尔组成为硅源∶钛源∶碱源∶贵金属源∶水=100∶(0.005~ 50)∶(0.005~20)∶(0.005~10)∶(200~10000)的混合物, 其中硅源以SiO2计,钛源以TiO2计,贵金属源以贵金属单质计; (2)向步骤(1)所得混合物中加入与步骤(1)中所加入的贵金属源的摩 尔比为0.1~10的还原剂后,于反应釜中在温度80~200℃及自生压 力下水热处理2~360小时,回收产物得到含贵金属钛硅材料。 该数据由<>整理 【当前权利人】中国石油化工股份有限公司; 中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院 【当前专利权人地址】北京市朝阳区惠新东街甲6号; 北京市海淀区学院路18号 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市); 其他股份有限公司分公司(非上市) 【统一社会信用代码】91110000710926094P; 91110108801125022N 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】1

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  • 【摘要】本发明提供一种超薄柔性液晶显示器及其制造方法,所述柔性液晶显示器包括:彼此相对设置的第1基板和第2基板,所述第1基板和第2基板由PET导电膜制成,所述第1基板和第2基板通过环氧树脂粘结胶贴合在一起;设置在第1基板和第2基板之间的液晶
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  • 【摘要】本发明涉及了一种低熔点玻璃制备窑炉,包括炉池,所述炉池顶部设有 盖板,所述盖板中部设有与所述炉池导通连接的进料口,所述进料口周围部 设有位于所述盖板上方的热源,所述热源覆盖面积小于所述炉池水平横截面 面积的18;与所述进料口相对的所
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  • 【摘要】本发明提供了一种液晶面板,包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板,其中彩膜基板上贴附有包括第一基底层、第一补偿膜和第一偏振膜的第一偏振片,阵列基板上贴附有包括第二偏振膜、第二补偿膜和第二基底层的第二偏振片,其中:第一基底层的对位角大于或小