【摘要】 本发明涉及光集成芯片的耦合封装技术领域的一种硅纳米光波导与光纤的耦合封装方法。为了实现硅纳米光波导与光纤的高效光耦合与简便封装，本发明提供一种硅纳米光波导与光纤的耦合封装方法，利用倒锥型模斑转换器实现硅纳米光波导中的小尺寸模斑向光纤的大尺寸模斑转换，并利用V型光纤定位槽的自对准特性实现硅纳米光波导与光纤的对准耦合和简便封装。本发明中倒锥形模斑转换器高效、宽带光耦合特性和光模场尺寸转换能力与SOI衬底特性、V型光纤定位槽相结合，实现波导与光纤的精确中心对准和高效光耦合，且光纤的固定封装工艺简便，非常适用于实际生产应用。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810239885.5 【申请日】2008-12-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101533128B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101533128B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02B6/26 【发明人】申华军; 周静涛; 刘新宇; 吴德馨 【主权项内容】一种硅纳米光波导和光纤的耦合封装方法，其特征在于：通过SOI衬底上的倒锥形模斑转换器将硅纳米光波导的小尺寸模斑转换成光纤的大尺寸模斑，并通过所述的SOI衬底上的V型光纤定位槽将光纤与硅纳米光波导对准耦合；所述倒锥形模斑转换器由朝向光纤方向宽度逐渐变细的倒锥形硅纳米光波导渐变段和设置于硅纳米光波导上的折射率相对较低的上层低折射率波导组成，所述上层低折射率波导通过采用光刻胶或金属为掩蔽的干法刻蚀形成，其厚度和宽度均为2～4μm，其材料为等离子体增强化学气相淀积或低压化学气相淀积生长的SiON或SiO2；所述硅纳米光波导、倒锥形模斑转换器和V型光纤定位槽是在所述SOI衬底上实现单片集成的。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族被引证次数】40
