【摘要】 本发明公开了一种基于衬底修饰制备各向异性有机场效应管的方法，是通过一次绝缘介质层生长、一次光刻、一次单层分子自组装修饰衬底、一次有机半导体薄膜生长和一次金属沉积，获得各向异性的有机场效应管，具体包括以下步骤：在导电基底上生长绝缘介质层；在绝缘介质层表面上旋涂光刻胶保护层，光刻得到有取向的绝缘介质层图形；利用化学气相输运的方式在绝缘介质层图形区域选择性地组装一层单分子膜；沉积生长有机半导体薄膜；通过镂空的掩模版沉积生长源漏金属电极。本发明提供了一种工艺简单、人为可控性高、重复性好、均匀性高的制备高迁移率的各向异性有机场效应管的方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810227480.X 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740721A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L51/40 【发明人】姬濯宇; 商立伟; 刘明 【主权项内容】一种基于衬底修饰制备各向异性有机场效应管的方法，是通过一次绝缘介质层生长、一次光刻、一次单层分子自组装修饰衬底、一次有机半导体薄膜生长和一次金属沉积，获得各向异性的有机场效应管，具体包括以下步骤：在导电基底上生长绝缘介质层；在绝缘介质层表面上旋涂光刻胶保护层，光刻得到有取向的绝缘介质层图形；利用化学气相输运的方式在绝缘介质层图形区域选择性地组装一层单分子膜；沉积生长有机半导体薄膜；通过镂空的掩模版沉积生长源漏金属电极。。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U
