【摘要】 一种硅栅极的刻蚀方法，用于对包括硅栅的硬掩膜图案层和硅栅层的膜层进行刻蚀形成硅栅极；包括初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀的步骤，其特征在于，在所述的初刻蚀步骤中的刻蚀剂中添加有硬掩膜图案层刻蚀抑制剂。一种提高硅栅极线宽腔室匹配的方法；本发明的方法可以提高对硅栅极线宽的控制和调节能力，可以提高硅栅极线宽腔室匹配度。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路一号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810227314.X 【申请日】2008-11-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740370A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740370B 【授权公告日】2012-03-07 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/02 【发明人】白志民 【主权项内容】一种硅栅极的刻蚀方法，用于对包括硅栅的硬掩膜图案层和硅栅层的膜层进行刻蚀形成硅栅极；包括初刻蚀、主刻蚀和过刻蚀的步骤，其特征在于，在所述的初刻蚀步骤中的刻蚀剂中添加有硬掩膜图案层刻蚀抑制剂。。微信 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】14 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】14
