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可控降解的微弧氧化金属支架及其制备方法专利

发布时间:2026-06-11

【摘要】 本发明涉及一种可控降解的微弧氧化金属支架及其制备方法,该支架具有微弧氧化膜层和可降解高分子涂层,该方法包括步骤:将可降解的金属加工成支架;对支架进行预处理,去除支架表面的氧化物;将支架放入微弧氧化电解液中,支架作为电解槽的阳极,通入直流或交流电进行微弧氧化处理,使支架的表面具有微弧氧化膜层;将微弧氧化处理后的支架进行清洗;在清洗后的支架表面喷涂可降解高分子材料,该可降解高分子材料携带治疗性药物。本发明支架上的微弧氧化膜层可以明显降低支架的腐蚀速率,延长支架的使用寿命,同时也保证了降解过程中材料的力学性能。 【专利类型】发明授权 【申请人】乐普(北京)医疗器械股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】102200 北京市昌平区科技园区超前路37号3号楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】昌平区 【申请号】CN200810057118.2 【申请日】2008-01-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101239009B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101239009B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】A61F2/82; A61L31/02; A61L31/08; A61L31/14; C25D11/02; C25D11/18; B05C5/00 【发明人】董飒英; 张正才; 徐毅; 蒲忠杰 【主权项内容】一种可控降解的微弧氧化金属支架制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:S1:选用可降解的金属加工成支架;S2:对所述支架进行预处理,去除支架表面的氧化物;S3:将所述支架放入微弧氧化电解液中,所述支架作为电解槽的阳极,通入直流或交流电进行微弧氧化处理,使所述支架的表面具有微弧氧化膜层;S4:将微弧氧化处理后的支架依次用去离子水、超声波清洗机进行清洗;S5:在清洗后的支架表面喷涂可降解高分子材料;S6,使支架匀速旋转;用含有1%~15%雷帕霉素或紫杉醇的溶液对支架进行定向喷涂1~15次。 【当前权利人】乐普(北京)医疗器械股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市昌平区超前路37号7号楼 【专利权人类型】股份有限公司(中外合资、上市) 【统一社会信用代码】911100007000084768 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】26

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  • 【摘要】本发明提供一种多晶硅预掺杂方法,具体为:在多晶硅薄膜上沉积一层 隔离层,所述隔离层易于从多晶硅薄膜上剥离;在隔离层上覆盖一层光刻胶, 并将图形转移到光刻胶上;在进行离子注入后利用干法和湿法去除光刻胶; 最后利用湿法去除隔离层。应用本
  • 【摘要】本发明公开了一种引入测试电压的设备和方法。该设备包括相互连接的 伽玛灰阶电路模块和驱动芯片模块,所述伽玛灰阶电路模块和驱动芯片模块 之间设置成对的主要伽玛电压线路,还包括:第一切换装置,设置在所述成 对的主要伽玛电压线路上,用于通过
  • 【摘要】本发明提供用于锂离子电池极片的涂膜方法和涂膜设备。涂膜设备包 括浆料槽(1)和涂膜头(3),浆料槽通过浆料输送管(2)与涂膜头相连以便为 涂膜头提供涂膜浆料,还包括对浆料槽中的浆料进行搅拌的搅拌装置(5) 以及用于在从浆料槽至涂膜头