【摘要】 一种微机电系统技术领域的柔性视网膜凸点微电极芯片及其制作方法，以聚氯代对二甲苯为柔性基底和绝缘材料，制备出由若干个微电极敏感元排列构成的微电极阵列，同时制作出电极引线及引线焊点，构成一个柔性视网膜凸点微电极芯片，这种微电极芯片植入人眼视网膜部位，可实现与视网膜神经细胞安全有效地接触，有效降低刺激脉冲电流，减少微电极植入时对生物组织造成的插入损伤，提高电刺激和神经信号记录的效果，从而更好地恢复视觉功能。本发明采用聚氯代对二甲苯作为柔性电极基底，其优异的电绝缘性能和机械性能，能够较大程度提高微电极芯片的生物相容性，且长期稳定性好。本发明采用MEMS工艺，实现了微电极功能单元和柔性基底的集成。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200240 上海市闵行区东川路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810200926.X 【申请日】2008-10-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101380257B 【公开公告日】2010-07-28 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101380257B 【授权公告日】2010-07-28 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】A61F9/08 【发明人】邢玉梅; 惠春; 徐爱兰 【主权项内容】一种柔性视网膜凸点微电极芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤一，采用高温湿氧氧化工艺，利用氢氧合成水汽氧化硅片，在任意取向的单晶硅片上沉积2μm～5μm厚的SiO2，这层SiO2作为后面微电极芯片释放过程的牺牲层；步骤二，在SiO2上，采用化学气相沉积聚合工艺来制备第一层Parylene，作为微电极的柔性基底；步骤三，在Parylene上旋涂正性光刻胶，曝光显影后得到光刻胶图案，采用射频磁控溅射工艺，在光刻胶图案上方依次沉积 的Cr膜和的Au膜，然后将片子在丙酮中超声浸洗，去除光刻胶后得到图形化的Cr/Au金属层，分别作为微电极敏感元、电极引线和引线焊点；步骤四，在Cr/Au金属层上，采用化学气相沉积聚合工艺来制备第二层Parylene，这层Parylene用来封装电极引线，在氧等离子体气氛中，以厚光刻胶作为掩模层，采用反应离子刻蚀工艺，将微电极敏感元和引线焊点上方的Parylene刻蚀掉；步骤五，以光刻胶为掩模，在微电极敏感元上电镀Au至其高度到达与第二层Parylene相同位置；步骤六，旋涂正性光刻胶、曝光显影后，在微电极敏感元上方形成厚为10μm～80μm的圆柱形厚光刻胶凸点微结构；步骤七，将光刻胶进行后烘固化，借助固化时有限的溶剂气体和光刻胶的相互作用，使光刻胶表面的局部尖锐图形平坦化，获得圆滑的厚光刻胶凸点微结构，并消除轻微缺陷；步骤八，再次旋涂厚光刻胶并曝光显影，然后采用射频磁控溅射法依次沉积 的Cr膜和 的Au膜；然后将片子在丙酮中超声浸洗，形成图形化的Au/Cr金属薄层，得到凸点微电极；步骤九，在氢氟酸溶液中浸泡，将SiO2牺牲层腐蚀掉，从硅基片上将微电极释放出来。FSB00000064919600011.tif, 200810200926X1000011.tif, FSB00000064919600013.tif, FSB00000064919600014.tif 【当前权利人】上海交通大学 【当前专利权人地址】上海市闵行区东川路800号 【统一社会信用代码】1210000042500615X0 【家族被引证次数】36
