【摘要】 本发明公开了一种去除光刻胶层的方法，提供一半导体结构，所述 半导体结构上具有光刻胶层；对光刻胶层进行第一步灰化，灰化掉部分 厚度的光刻胶层；对剩余的光刻胶层进行第二步灰化，将剩余的光刻胶 层去除；其中第一步灰化的灰化速率大于第二步灰化的灰化速率。该方 法在去除光刻胶层时可以更干净的去除灰化残余物。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810118408.3 【申请日】2008-08-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101651099A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101651099B 【授权公告日】2011-10-05 【授权公告年份】2011.0 【发明人】韩秋华; 韩宝东 【主权项内容】1、一种去除光刻胶层的方法，其特征在于， 提供一半导体结构，所述半导体结构上具有光刻胶层； 对光刻胶层进行第一步灰化，灰化掉部分厚度的光刻胶层； 对剩余的光刻胶层进行第二步灰化，将剩余的光刻胶层去除； 其中第一步灰化的灰化速率大于第二步灰化的灰化速率。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
