【摘要】 本发明涉及一种管状相变存储器单元结构及制作方法，所述的相变存储器单元结构包括上电极、下电极以及存储部分。单元结构的基本特征是：相变材料分布在孔的侧壁，利用孔中相变材料的截面积小电阻大，在读写操作中通过自身发热完成相变，同时在环形相变材料的两端通过加相变材料保温层作为封盖形成管状，以提高读写操作中热量的利用效率，存储部分为一个上下用相变材料封盖的管状结构，里面填充金属、绝缘绝热材料或者高阻材料。本发明的存储器结构可以降低写操作电流、功耗小、热量利用率高、数据保持性能好，可以提高在芯片中器件的阻值一致性。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050 上海市长宁区长宁路865号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN200810034940.7 【申请日】2008-03-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101267017B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101267017B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L27/24; H01L21/82; G11C11/56; G11C16/02 【发明人】凌云; 宋志棠; 封松林 【主权项内容】一种管状相变存储器单元结构，包括上电极、下电极及存储部分，所述的存储部分的相变材料分布在环形孔的侧壁，管内填充材料为绝缘绝热材料、高阻材料或金属导体材料，其特征在于环形孔的上、下由相变材料保温层作为封盖成管状结构。 【当前权利人】中国科学院上海微系统与信息技术研究所 【当前专利权人地址】上海市长宁区长宁路865号 【统一社会信用代码】12100000425006790C 【引证次数】1.0 【被引证次数】7 【他引次数】1.0 【被自引次数】7.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】26
