【摘要】 一种微电子技术领域的利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，步骤为：步骤一，通过微加工的方法将微电子芯片固定在硼硅酸玻璃上；步骤二，通过微加工中的蚀刻工艺，在硅片上蚀刻微通道；步骤三，通过微加工中的阳极扩散焊工艺，将蚀刻有微通道的硅片和固定有微电子芯片的硼硅酸玻璃键合在一起，形成一端为入口、另一端为出口的具有良好密封性的微通道；步骤四，提供常温下的水从微通道的入口注入，水和微电子芯片直接接触进行冷却后从通道的出口排出。本发明可以对热流密度高达14.41MW/m 2的微电子芯片(长为2mm，宽为0.2mm)进行有效冷却，是传统冷却技术极限的十几倍。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】200240 上海市闵行区东川路800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】闵行区 【申请号】CN200810034853.1 【申请日】2008-03-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101252089B 【公开公告日】2010-10-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101252089B 【授权公告日】2010-10-06 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/48; H01L21/50; H01L21/00; H01L23/473 【发明人】王国栋; 郑平 【主权项内容】1.一种利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一，通过微加工的方法将微电子芯片固定在硼硅酸玻璃上； 步骤二，通过微加工中的蚀刻工艺，在<100>硅片上蚀刻微通道； 步骤三，通过微加工中的阳极扩散焊工艺，将蚀刻有微通道的硅片和固定有微电子芯片的硼硅酸玻璃键合在一起，形成一端为入口、另一端为出口的具有良好密封性的微通道； 步骤四，提供常温下的水从微通道的入口注入，水和微电子芯片直接接触进行冷却后从通道的出口排出。 【当前权利人】上海交通大学 【当前专利权人地址】上海市闵行区东川路800号 【统一社会信用代码】1210000042500615X0 【引证次数】3.0 【被引证次数】4 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5
