【摘要】 本发明公开了一种调整间隙壁宽度的方法，所述间隙壁成分为氧化硅，位于由单晶硅基底以及覆盖于单晶硅基底表面的多晶硅结构组成的晶片上，在所述晶片表面沉积一定厚度的氧化硅薄膜之后，且在对晶片进行用以构造间隙壁的定向蚀刻工艺之前，进行如下步骤：采用各向同性的蚀刻方式削减晶片表面的氧化硅薄膜厚度，使氧化硅薄膜厚度达到预定值。本发明还公开了一种构造间隙壁的蚀刻方法。本发明方案可以控制间隙壁的宽度，并且大幅减小多晶硅结构顶部的损失。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810227404.9 【申请日】2008-11-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740376A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740376B 【授权公告日】2012-06-13 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/311; H01L21/28; H01L21/02 【发明人】杜姗姗; 韩秋华 【主权项内容】一种调整间隙壁宽度的方法，所述间隙壁成分为氧化硅，位于由单晶硅基底以及覆盖于单晶硅基底表面的多晶硅结构组成的晶片上，其特征在于，在所述晶片表面沉积一定厚度的氧化硅薄膜之后，且在对晶片进行用以构造间隙壁的定向蚀刻工艺之前，进行如下步骤：采用各向同性的蚀刻方式削减晶片表面的氧化硅薄膜厚度，使氧化硅薄膜厚度达到预定值。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2
