【摘要】 本发明公开了一种基于方波导的2×2单面双鳍线阵的制作方法，包括：建立2×2单面双鳍线阵的仿真模型，对该仿真模型进行仿真得到2×2单面双鳍线阵的散射特性；将Klopfenstein理论应用在鳍线结构中，根据数值迭代方法得到固定长度的反射系数最小的鳍线结构，通过商用计算软件得到双鳍线的横向节点所对应的有效介电常数；将得到的有效介电常数与散射特性进行结合，得到鳍线不同节点处对应的鳍缝隙的宽度，进而得到鳍线的鳍缝隙随横向节点的变换曲线，通过商用绘图软件绘制该曲线，得到优化后的基于方波导的2×2单面双鳍线阵。本发明有效的避免了复杂的数值计算，采用成熟的电磁场仿真软件，缩短了设计周期。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810103650.3 【申请日】2008-04-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101556623B 【公开公告日】2010-07-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101556623B 【授权公告日】2010-07-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G06F17/50 【发明人】武锦; 欧阳思华; 刘新宇; 阎跃鹏 【主权项内容】一种基于方波导的2×2单面双鳍线阵的制作方法，其特征在于，该方法包括：A、建立2×2单面双鳍线阵的仿真模型，对该仿真模型进行仿真得到2×2单面双鳍线阵的散射特性；其中，该仿真模型为2×2单面双鳍线阵左上方四分之一区域的仿真模型，2×2鳍线阵固定在方波导宽壁中心上下对称的位置上，双鳍线具有对称结构，2×2鳍线阵的边界条件包括波导的理想电壁、理想磁壁和对称边界，2×2鳍线阵的激励条件为双鳍线输入端面的波导激励；B、将Klopfenstein理论应用在鳍线结构中，根据数值迭代方法得到固定长度的反射系数最小的鳍线结构，通过商用计算软件得到双鳍线的横向节点所对应的有效介电常数；C、将步骤B得到的有效介电常数与步骤A得到的散射特性进行结合，得到鳍线不同节点处对应的鳍缝隙的宽度，进而得到鳍线的鳍缝隙随横向节点的变换曲线，通过商用绘图软件绘制该曲线，得到优化后的基于方波导的2×2单面双鳍线阵。 微信 【当前权利人】北京中科微投资管理有限责任公司 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】6
