【摘要】 本发明公开了一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件，它是在阳极氧化铟锡导电玻璃(1)上，制备垂直其表面的ZnO纳米棒(2)，使ZnO纳米棒的长度保持在100～150nm；在ZnO纳米棒(2)上，制备有机发光层(3)，而后制备阴极铝(4)；用直流驱动，ZnO纳米棒作为空穴注入层和传输层，而有机发光材料作为电子注入层和传输层。有机发光材料为有机聚合物或小分子材料。利用ZnO纳米棒和有机发光层直接复合、而不需要中间绝缘层，这样可以减少器件制备的成本，并且提高ZnO纳米棒在真空紫外的发射。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100044 北京市海淀区西直门外上园村3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240505.X 【申请日】2008-12-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101436647B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101436647B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L51/50; H01L51/54 【发明人】赵谡玲; 阚鹏志; 徐征; 张福俊 【主权项内容】一种ZnO纳米棒/有机发光材料复合层的真空紫外电致发光器件，其特征是：在阳极氧化铟锡导电玻璃(1)上，制备垂直其表面的ZnO纳米棒(2)，使ZnO纳米棒的长度保持在100～150nm；在ZnO纳米棒(2)上，制备有机发光层(3)，使之覆盖ZnO纳米棒，有机发光层(3)的材料为聚苯撑乙炔或其衍生物聚〔2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)〕对苯乙炔；在有机发光层(3)上，制备阴极铝(4)；用直流驱动，ZnO纳米棒(2)作为空穴注入层和传输层，而有机发光材料作为电子注入层和传输层。 【当前权利人】北京交通大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区西直门外上园村3号 【统一社会信用代码】1210000040088209X1 【家族被引证次数】7
