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低温高压下样品的介电常数和介电损耗测量装置及方法专利

发布时间:2026-06-14

【摘要】 本发明公开了低温高压下样品的介电常数和介电损耗测量装置及方法,所述测量装置包括压力胞、铍铜活塞式压机、变温系统、数据采集系统和数据处理系统,本发明采用所述测量装置测量低温高压下样品的介电常数和介电损耗的方法,具体为铍铜活塞式压机向压力胞施加准静水压力,调节变温系统和介电性能测试装置,通过测温装置和介电性能测试装置采集样品的温度变化和频率变化下样品的电容和介电损耗,最后经过PC机的处理实现变化频率和变化温度扫描曲线测量,本发明在改变温度的同时改变测量介电常数的频率,实现变化频率和变化温度扫描曲线测量,通过改变外部施加的准静水压力,可研究静水压力对铁电样品的介电性质的影响。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190 北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810117329.0 【申请日】2008-07-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101329375B 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101329375B 【授权公告日】2010-06-23 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G01R27/26; G01N27/82 【发明人】朱金龙; 李凤英; 靳常青 【主权项内容】 。低温高压下样品的介电常数和介电损耗测量装置,其特征在于,包括压力胞、铍铜活塞式压机、变温系统、数据采集系统和数据处理系统,所述数据采集系统包括测温装置和介电性能测试装置,所述测温装置用于采集样品的温度,并将采集数据传输给数据处理系统;所述介电性能测试装置用于采集样品的电容和损耗,并将采集数据传输给数据处理系统;所述压力胞设置在铍铜活塞式压机的变压腔内,所述压力胞是由聚四氟乙烯管上封装样品、传压介质和温度采集装置构成,所述样品和温度采集装置之间保持1mm的距离,确保两者之间不相互接触,从温度采集装置和样品上引出的导引线分别与测温装置和介电性能测试装置相连,所述铍铜活塞式压机放置在一传热性好的器皿内,该器皿通过升降装置悬空的浸泡在一个装有液氮的杜瓦瓶中构成所述变温系统,通过液氮的挥发和高度的调节来实现控温;所述数据处理系统用于处理所述数据采集系统传输过来的数据,得到不同温度下和不同频率下样品的介电常数和介电损耗。 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【家族被引证次数】17

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