【摘要】 本发明公开了一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法，该方法包括：在封装管壳上制作一电源线环路和一地线环路；在电源线环路与地线环路之间连接一或多个电容和一电阻；将集成电路芯片的一个或多个与芯片内部电源线相连的地方引线到电源线环路上；将集成电路芯片的一个或多个与芯片内部地线相连的地方引线到地线环路上。利用本发明，使一些集成电路内部自身静电放电ESD防护能力较差的芯片，在封装后可以达到良好的ESD防护能力。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810104225.6 【申请日】2008-04-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101562140B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101562140B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/50; H01L21/60; H01L23/60 【发明人】曾传滨; 海潮和; 李晶; 李多力; 韩郑生 【主权项内容】一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法，其特征在于，该方法包括：在封装管壳上制作一电源线环路(22)和一地线环路(21)；在电源线环路(22)与地线环路(21)之间连接一或多个电容(10)和一电阻(13)；将集成电路芯片(71)的一个或多个与芯片内部电源线(102)相连的地方引线到电源线环路(22)上；将集成电路芯片(71)的一个或多个与芯片内部地线(101)相连的地方引线到地线环路(21)上。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【家族被引证次数】14
